7月6日，上海市政府发布了《上海市先进制造业发展“十四五”规划》。 规划指出，要全力打响“上海制造”品牌，推进上海先进制造业高质量发展。“规划”指出，上海制造业要集合精锐力量，落实集成电路、生物医药、人工智能三个“上海方案”，建设世界级产业集群，三大先导产业力争在2019年“上海方案”的基础上实现规模倍增。其中，对集成电路产业主要从芯片设计、制造封测和装备材料三个方面做出了要求。

芯片设计

加快突破面向云计算、数据中心、新一代通信、智能网联汽车、人工智能、物联网等领域的该段处理器芯片，存储芯片，微处理芯片，图像处理器芯片，现场可编程逻辑门阵列芯片（FPGA），5G核心芯片等。推动骨干企业芯片设计能力进入3纳米及以下，打造国家级电子设计自动化（EDA）平台，支持新型指令集、关键核心IP等形成市场竞争力。

制造封测

加快先进工艺研发，支持12英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设，争取产能倍增，加快第三代化合物半导体发展，发展晶圆级封装，2.5D/3D封装，柔性基板封装，系统封装等先进封装材料。

装备材料

加强装备材料创新发展，突破光刻设备，刻蚀设备、薄膜设备、离子注入设备、湿法设备、检测设备等集成电路前道核心工艺设备，提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻胶、湿化学品、电子特气等基础材料产能和技术水平，强化本地配套能力。

今年2月，上海市在《上海市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》中提出，要推动先进工艺、特色工艺产线等重大项目加快建设尽早达产，加快高端芯片设计、关键器件、核心装备材料、EDA设计工具等产业链关键环节攻关突破，加强长三角产业链协作，逐步形成综合性集成电路产业集群，带动全国集成电路产业加快发展。此项“规划”可以看做是“纲要”的具体延伸。

2020年上海集成电路产业的销售规模首次突破2000亿元，达到了2070亿元，同比增长21.4%。目前，上海拥有从事集成电路企业有700余家，从业人员超过20多万，集聚全国近40%的产业人才。

上海集成电路设计业2020年实现销售额954亿元，同比增长33.4%。制造业2020年实现销售额467亿元，同比增长19.9%；封装测试业技术占比明显提升，2020年实现销售额430亿元，同比增长12.6%；设备材料方面5纳米介质刻蚀机已经实现产业化应用，大硅片形成每月20万片的产能，产品技术通过14纳米的工艺验证。截至2020年底，上海共有34家集成电路企业上市，其中创业板上市13家。

2021年过半，上海集成电路产业第一季度销售收入为437亿元，同比增长16.93%，预计今年全年的销售规模突破2440亿元，较2020年增长18%。可以看出，上海已经成为国内集成电路产业综合水平高、产业链完整、产业生态环境好的集聚地之一。

以集成电路为主的半导体行业在过去几十年里整体处于上涨趋势，据WSTS数据，自2017年起全球半导体销售规模已经连续四年超过4000亿美元。2019年，由于存储芯片厂商产能扩张，市场供大于求；且模拟芯片需求也有所下降，导致世界半导体销售规模出现下滑。随后的2020年，疫情导致芯片出现短缺，全球销售规模又随价格波动和需求的增长而小幅上扬。除了国际政策和外部贸易环境的影响，自动驾驶、人脸识别、通信技术和云计算等新兴产业的快速发展促使集成电路行业本身加速的进步，以适应更多元化的应用场景和更庞大的算力需求。

从终端应用需求来看，通信行业（手机）、计算机是半导体行业的主要需求侧。据美国半导体行业协会数据，2019年全球半导体应用是通信行业和计算机行业拥有占比分别是33%和28.5%。

虽然智能手机和计算机贡献了半导体终端应用过半的的需求，市场庞大，但这两类产品已经步入存量市场，它们对半导体市场需求增长的帮助并不明显。

物联网产业迅速发展是芯片需求增长的一大推动力，物联网产业感知、传输、平台、应用四层架构中的每一层级，都需要各类芯片的藏于。其中物联网终端层、边缘技术层和应用层对芯片的需求更加多元化，数量也相对较大。据GSMA统计数据显示，2020年，全球物联网设备连接数量高达126亿个，GSMA预测到2025年这一数字将达到246亿。近年来全球物联网设备数量高速增长，五年后全球物联网设备数量近乎翻倍。

物联网基本可以分为面向公用事业单位、面向企业（to B）和面向消费者（to C）三个领域。其中智慧汽车、智慧家庭、智慧工厂等领域在近年来受到广泛关注，带动相关芯片的需求增长。

以智慧汽车为例，目前汽车集成了更多提升驾乘体验的功能，如驾驶辅助、车联网、智慧座舱等，已经远远超出了作为代步和货运工具的角色。而这些智能化的功能都由复杂的机电系统完成，这些系统通常是由机械设备、传感器和多种芯片共同组成。智慧汽车的发展也使得汽车对芯片的需求不断提升。据中汽协预测，到2022年，中国品牌电动汽车评价芯片数量将高达1459颗。

智能可穿戴设备也是物联网的一大应用领域。近年来，智能可穿戴设备市场不断扩大，据Gartner统计，2019年全球用户在可穿戴设备的支出为461.94亿美元，2020年达到689.85亿美元，增幅达到49.3%。随着下游市场快速扩大，上游芯片需求也将水涨船高。

除了面向消费者的设备外，智慧工厂的建设也如火如荼。与面向消费者的设备不同的是，智慧工厂、工业互联网应用的芯片多为工作温度范围更广、设计使用寿命更长的芯片，其在制造与封装工艺上的要求也更高。在芯片种类方面，工业应用中对电源管理芯片、信号链芯片等模拟芯片的需求更大，对微控制器、逻辑芯片等也有一定需求。

数据显示，2016年至2019年，全球工业互联网市场规模复合增长率超过5%，总量已经逼近8500亿美元，市场体量庞大。机构预测在2020年至2025年，这一市场将继续保持6%左右的复合增长率，在2025年市场规模将超过1.2万亿美元。

智慧安防也是备受关注的行业，行业又可以划分为城市安全、企业及机构安防、家庭安防等不同的细分领域。智慧安防设备包括监控设备、人脸识别摄像头、中央计算平台、智能报警器等，这些设备都需要芯片来实现一定的功能。据中安网数据，2020年全国安防行业增长率为3%，总产值达到8510亿元。2019年，智慧安防在整个安防市场的渗透率为5.5%，可以预见这一比例在未来短期内将会极速上升，据估算，2026年前后我国智慧安防市场规模将达到2500亿元。这一市场快速增长的同时，会拉动对显示控制芯片、各类通信芯片、微控制器、用于AI计算的逻辑芯片等不同芯片种类的需求。

除了设备外，云计算等后端算力同样对芯片有巨大需求、云计算是将计算能力以服务的形式提供给用户。数据中心则是云计算服务的基础设施，其主机房包含了交换机、服务器和其它与之配套的设备（例如通信和存储系统）。

由于数据中心需要对大量原始数据进行运算处理，对于芯片等基础硬件的计算能力、存储能力等都有较高要求。据赛迪顾问数据，截至2019年，中国数据中心数量约为7.4万个，约占全球数据中心总量的23%，机架数量由2016年的124万架上升至2019年的227万架。年复合增长率超20%。

在数据传输端，5G技术的应用也推动芯片需求的增长。除了在消费端的应用，如手机里的5G基带芯片，大量的芯片需求来自于5G基站的建设。不同于4G基站，5G信号频段的特性决定了将信号覆盖同样的面积，其基站数量将是4G基站的2倍及以上。据工信部数据显示，截至2021年3月底，中国5G基站数量达81.9万座，2021年预计新建基站80万座。同时，高盛预测，中国5G基站将在未来五年循序渐进式增长。

碳化硅是第三代半导体材料，光电特性优越，满足新兴应用需求。第一代半导体主要有硅和锗，由于硅的自然储量大、制备工艺简单，硅成为制造半导体产品的主要原材料，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是，第一代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。砷化镓是第二代半导体材料的代表，较高的电子迁移率使其应用于光电子和微电子领域，是制造半导体发光二极管和通信器件的狠心材料。但砷化镓材料的缺点也很明显，砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性，无法在高温、高频、高功率器件领域推广，市场空间有其局限性。第三代半导体材料以碳化硅，氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G基站、卫星等新兴领域的理想材料。

其中，碳化硅（SiC）的表现优越，体现在：

1、碳化硅具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导和高电子饱和速率的物理特性，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品耗能、减少终端体积；

2、碳化硅的热导率大幅高于其他材料，从而使得碳化硅器件可以在较高的温度下运行，其工作温度高达600℃。

3、碳化硅的高热导率有助于器件快速降温，从而使下游企业可以简化器件终端的冷却系统，让器件轻量化。

4、碳化硅具有较高的能量转化率，且不会随着频率的提高而降低。

作为第三代半导体材料的优秀代表，碳化硅早在二十世纪初就被应用，经过几十年的研发，碳化硅逐步商业化。2001年开始商用碳化硅SBD器件；2010年出现碳化硅MOSFET器件，目前，碳化硅IGBT器件尚在研发阶段。碳化硅的优越性能一直以来都被美国、欧洲、日本等发达国家或地区的科研所与企业所重视，不断创新和改良碳化硅晶的制备技术与设备。

目前，碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域已实现成熟应用。伴随着新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等产业的快速发展，功率器件的需求大幅增加。根据IC Insights《2019年光电子、传感器、分立器件市场分析有预测报告》，2018年全球功率器件的销售额增长率为14%，达到163亿美元。未来，随着碳化硅和氮化镓功率器件的加速发展，全球功率器件的销售额预计将持续保持增长。预计2018年2023年期间，全球功率器件的销售额复合年增长率达到3.3%，2023年全球功率器件收入将达到192亿美元。

根据IHSMarkit数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元，受新能源汽车庞大需求的驱动，以及电力设备等领域的带动，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，碳化硅的市场需求也将大幅增长。

从产业格局看，全球碳化硅产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中，美国全球独大，占有全球碳化硅产量的70%~80%，碳化硅晶圆市场CREE一家市占率高达六成；欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，在全球电力电子市场拥有强大的话语权；日本则是设备和模块开发方面的绝对领先者。随着碳化硅衬底和器件制备技术的成熟和不断完善，以及下游市应用的需求增长，国际碳化硅龙头企业在保持技术和市场占有率的情况下，不断加强产业布局。整体来看，国际半导体龙头企业纷纷在碳化硅领域加速布局，一方面将推动碳化硅材料的市场渗透率的加速，另一方面也初步奠定了未来几年第三代半导体领域的竞争格局。

从全球碳化硅衬底的企业经营情况来看，以2018年到导电性碳化硅晶片厂商市场占有率为参考，美国CREE公司占龙头地位，市场份额达62%，其次是美国的II-VI公司，市场份额约为16%。总体来看，在碳化硅市场中，美国厂商占据主要地位。

碳化硅行业是技术密集型行业，对研发人员操作经验、资金投入有较高要求。近年来，我国也加大对碳化硅产业的发展扶持，出台了一系列半导体产业鼓励政策，为国内企业提供政策及资金支持，以推动碳化硅为代表的第三代半导体材料发展。今年3月发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划2023年远景目标纲要》中提到，要集中电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集中电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。目前碳化硅行业面临的问题也是整个半导体产业的所需要解决的问题，即人才匮乏、技术水平低。国内碳化硅产业处于初期发展阶段，有很大的发展空间。经过多年研发创新，国内部分公司已经掌握半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底的生产技术，并且其产品质量达到国际先进水平。

未来，在国家产业政策的支持和引导下，我国碳化硅晶片产业发展大幅提速。同时在国际贸易摩擦加剧的背景下，半导体产业链实现进口替代的趋势也将不可逆转。

2021年11月3日，2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行。

半导体业界有四项入选，分别是：

1、高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用（2020年度国家技术发明奖二等奖）

2、超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用（2020年度国家技术发明奖二等奖）

3、高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺（2020年度国家科学技术进步一等奖）

4、固态存储控制器芯片关键技术及产业化（2020年度国家科学技术进步二等奖）

高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用

功率芯片是功率电子系统的“核芯”，广泛应用于智能制造、新能源交通、电力装备、智能家居等领域，是国家新基建部署和实施的底层保障与基础支撑。

从2009年起，该项目主要团队孙伟锋教授团队围绕技术难题深入开展理论研究，在浮置衬底高低压兼容技术、低损耗功率器件技术、抗瞬时电冲击智能电路技术和高功率密度集成互联技术等四方面取得系列创新发明，构建了高压智能功率驱动芯片设计与制备的技术体系，设计并制备了80余款高压智能功率驱动芯片，被100余家国内外公司采用。

目前，研制的芯片已应用于“世界首条350公里时速智能高铁——京张高铁”空调系统，支持了我国自主知识产权的高铁发展。芯片还广泛应用于新一代智能电表，在工业智能电表领域市场占有率超过70%，打破了欧美公司在这一领域的垄断，为我国智能电网系统的战略安全提供了重要保障。芯片的失效率低于十万分之一，在智能生活家电领域累计销售超16亿颗，市场占有率全国第一。

超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用

该项目创新了超高纯金属溅射靶材晶粒尺寸及织构控制技术、异种金属大面积焊接技术、精密机加工及表面处理术、全系列分析检测与评价技术，成功制备出超高纯金属溅射靶材，产品具有良好的稳定性和一致性，建成了年产五万枚靶材的生产基地，具有显著的经济效益。同时，该项目填补了国内靶材产业空白，该项目对提升我国集成电路、平板显示工艺及材料技术的自主创新能力，推动和发展我国电子信息产品的技术进步和产业安全起到了重要作用。

高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺

此次获奖项目内容之一是针对高密度芯片封装工艺中焊点易桥连和界面易损伤难题，提出倒装铜柱凸点高密度键合技术，发明原位微米级栅线投影翘曲测试方法，研制基材与布线密度匹配、磁性载具与回流曲线优化的低应力倒装焊接工艺，也是目前国际唯一突破7纳米9芯片64 核 CPU 芯片封装核心技术，产品成品率达 99.8%。

固态存储控制器芯片关键技术及产业化

该项目从2005年开始，历时十多年，对固态存储控制器关键技术逐一深入研究和试验，研制成功我国第一颗固态硬盘控制器芯片，并进一步实现了系列固态存储产品的国产化。项目团队解决了高速计算机接口核心技术的国产化问题；突破了固态硬盘容量的瓶颈、达到业内最高容量；提出了高速、无损的物理层数据加密关键技术，为我国的信息安全提供了芯片级安全保障。

半导体国产化道路任重道远

我国半导体行业在市场和政策的双重促进下正保持着高速发展，但我们也应该清楚地认识到我们存在的短板和不足。综合来看，我国半导体行业已经面对或未来将会面对的挑战将会主要出现在生产设备难以突破、设计工具自主水平低、材料发展水平有待提升、行业人才存在缺口等方面，全面实现国产化任重道远。

李克强总理在会上指出，要围绕国家重大战略需求，加快关键核心技术攻关，推进重大科技项目，推广“揭榜挂帅”等机制，让愿创新、敢创新、能创新者都有机会一展身手。要强化企业创新主体地位，推进产学研深度融合。制定更多激励创新的普惠性政策，促进创新要素向企业集聚。推动产业链上中下游、大中小企业融通创新，加强知识产权保护运用，开辟科技成果转化快车道。

导体产业链具体包括上游供应、中游制造和下游应用。其中，半导体材料处于上游供应环节，材料品类繁多，按制造流程可细分为前端制造材料和后端封装材料。

根据世界半导体贸易统计（WSTS）数据，2011-2020年全球半导体市场规模呈波动变化趋势，2017-2018年连续两年保持高速增长后，受中美贸易问题、下游消费电子市场疲软等影响，2019年全球半导体市场规模为4123.07亿美元，同比下降12.5%，主要体现在存储芯片市场的下行。2020年上半年，全球半导体产业规模为2081.6亿美元，同比增长5.98%，疫情未对半导体产业产生显著影响，仅欧洲地区半导体市场规模连续6个月较上年同期均下滑。

半导体按照其功能结构分类，通常可以分为集成电路、分立器件、光电器件及传感器四大类，其中集成电路又可被细分为模拟电路、逻辑电路、处理器芯片及存储芯片。在2019年全球4123.07亿美元的半导体销售额中，集成电路共计3333.54亿美元，占比达80.85%；光电器件、分立器件和传感器分别占比10.08%、5.79%、3.28%。

根据国际半导体产业协会（SEMI）发布数据，2011-2019年全球半导体材料行业市场规模呈波动变化趋势：对比半导体和半导体材料市场规模变化情况来看，波动趋势基本趋同。受半导体产业整体大环境影响，2019年，全球半导体材料行业市场规模约521.4亿美元，同比下降1.12%；其中，前端晶圆制造材料小幅下降0.4%；封装材料同比下降2.3%。

从产业链各环节来看，半导体材料是生成集成电路、光电子器件等的重要材料，主要用于IC制造和IC封装环节中，从全球半导体材料市场规模占全球规模比重来看，2011-2019年整体呈下降趋势，近7年比重均小于15%。半导体材料是半导体产业的重要组成部分之一，但整体贡献度不足5%。

根据半导体制造流程分为IC设计、IC制造、IC封装，对于的半导体可细分为前端制造（晶圆制造）材料和后端封装材料。根据SEMI统计数据，2011-2019年，晶圆制造材料整体呈上升趋势，封装材料整体呈下降趋势；2011年，晶圆制造材料与封装材料市场份额平分秋色，占比均在50%左右，而2019年，晶圆制造材料占比上升至63.1%，封装材料下降至36.9&。

中国台湾已连续10年成为半导体材料最大消费地。根据SEMI统计数据，2019年，中国台湾半导体材料市场规模约113.4亿美元，占比约21.75%；韩国88.3亿美元，占比约16.94%；中国大陆地区为86.9亿美元，占比约16.67%；其次为日本、北美和欧洲地区。中国台湾地区凭借其庞大的晶圆代工厂和先进的封装基础，到2019年中国台湾连续第十年成为全球半导体材料的最大消费地区。

从中国半导体材料市场规模占全球比重的变化情况来看，2012-2019年比重逐年增长，从2012年的12.2%增长至2019年的16.67，排名全球第三。这主要是由于国内企业技术水平的不断提升，部分材料以及能实现国产化替代。其次，全球半导体产业的迁移，全球半导体产业从美国、日本等向韩国、中国台湾、并进一步向中国大陆地区迁移，半导体材料作为半导体产业的重要组成部分之一也同步发生转移，中国成为半导体材料主战场之一。

据了解，各地也正在加速半导体材料的布局。日前，在位于泉港石化科教园区的清源创新实验室，一项名为“高浓度CF显影液”的最新科研成果通过中国科学院院士欧阳钟灿等7位专家的鉴定。专家们一致认为，该产品的技术水平达到国内领先水平，突破了国外对显影液材料的垄断，建议加大市场推广力度。此外，重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。可见，半导体材料国产化替代正在加速。

参考资料：前瞻产业研究院《2020年中国半导体材料行业发展报告》

国内半导体设备厂商持续推新，有力推动新工艺覆盖和国产化替代。据国内主流12英寸产线的半导体工艺设备招投标数据统计，在12类主要半导体设备中，国产化程度最高的去胶设备国产化率为82.4%，CMP、清洗、热处理、刻蚀、PVD等设备的国产化率接近或超过20%。镀铜、CVD、量测、离子注入、光刻、涂胶显影等设备的国产化程度仍处于较低水平。

来源：：中国国际招标网，中银证券

半导体设备市场空间大，增长动力强劲

目前，在刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备、检测设备等领域，国内企业正奋力追赶并取得了一定的成绩。

以光刻机和涂胶显示设备为例，尽管光刻、涂胶显影等设备因其技术难度国产化程度垫底，但随着晶圆代工产能及设备需求将持续以较高速度上涨，半导体全产业链持续受益。国内半导体设备厂商持续推新，也有力推动新工艺覆盖和国产化替代。

光刻被认为是集成电路制造工艺发展的驱动力。光刻的本质是把电路结构图复制到硅片上的光刻胶上，方便之后进行刻蚀和离子注入。全球光刻机市场主要由荷兰的阿斯麦(ASML)、日本尼康和佳能三家把持，其中ASML更是全球绝对龙头，市占率超过67%，几乎垄断了高端光刻机（EUV）市场。日本尼康和佳能产品主要为中低端机型。

国产光刻机领域中，上海微电子(SMEE)一枝独秀。2018年3月，上海微电子承担的“02专项”的“90nm光刻机样机研制”顺利通过验收，成为国产光刻机的优秀代表。近日，上海微电子举行新产品发布会，宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。目前，上微已与多家客户达成新一代先进封装光刻机销售协议，首台将于年内交付。

涂胶显影设备是光刻工序中与光刻机配套使用的涂胶、烘烤及显影设备，包括涂胶机、喷胶机和显影机。该设备不仅直接影响光刻工序细微曝光图案的形成，对后续蚀刻和离子注入等工艺中图形转移的结果也有着深刻的影响。芯源微生产的涂胶显影设备通过在客户端的验证与改进，现已实现在多个技术方面的突破并应用于新产品中。公司生产的涂胶显影设备包括前道和后道在内已经可以应用到封装领域、LED领域、MEMS、化合物、功率器件、特种工艺等领域。

国内半导体设备行业发展形势普遍乐观

全球半导体设备竞争格局高度集中、龙头企业收入体量大（营收超过百亿美元）、产品布局丰富。相比而言，国内设备公司体量较小、产品线相对单一。在“02专项”等政策的推动下，大陆晶圆厂设备自制率提升意愿强烈，国内设备公司迎来了国产替代的关键机遇。

同时，也要警惕由于一些风险因素带来的行业发展变化。比如新冠疫情的影响，可能导致半导体设备国产化进程放缓。据报道，在新一轮的设备采购中，国外设备厂家已经感受到国产设备替代进口品牌的经营压力，也许会通过降价压制国产设备扩大市场份额。另外，根据目前中美贸易形势发展来看，美国也有可能进一步向中国禁售关键半导体设备。

10月21 日，深圳市坪山区投资推广服务署公示了中芯深圳12英寸晶圆代工生产线配套厂房项目遴选方案，该方案总建筑面积约69410平方米，主要用于12英寸晶圆代工生产线所需的大宗气站及化学品仓库等配套设施。

2英寸晶圆代工市场需求旺盛

受5G、高性能计算、人工智能、物联网、汽车电子、3C产品以及家用电器等领域的需求提升，国内的12英寸晶圆代工产能处于供不应求的状态，2019年产能缺口约为10.2万片/月，至2024年产能缺口还将进一步扩大。根据专业机构预测，2024年中国的芯片设计企业12英寸流片需求可达到81.5万片/月，其中，28nm及以上线宽对应流片需求量为69.6万片/月，12英寸晶圆代工市场需求旺盛。

12英寸晶圆代工生产线对生产技术、产业标准和产品品质要求极高。主要规划进行55nm高压大屏驱动，0.15μm电源驱动以及40/28nm高压大屏驱动芯片的量产生产，以显示驱动、图像传感以及电源管理产品为切入口，预留其他类型产品兼容性。要求建厂企业拥有产品技术和自主知识产权，产品良率处于业界先进水平。

全面布局 中芯国际追赶世界一流

根据2021年半年报，中芯国际目前共拥有中芯上海、中芯北京、中芯天津、中芯北方、中芯深圳、中芯南方等6家主要子公司，其中上海工厂、北京工厂、天津工厂、深圳工厂、江阴工厂等在扩建中。公开信息显示，中芯国际在北京、上海、深圳的扩产项目均属于公司12寸成熟制程，投资金额折合人民币超1200亿元。

2020年7月底，中芯国际与北京经济技术开发区管理委员会签署《合作框架协议》，双方成立合资企业从事发展及运营聚焦于生产28纳米及以上集成电路项目。项目首期计划投资76亿美元，最终达成每月约10万片的12英寸晶圆产能。

2021年3月，中芯国际与深圳市政府签订合作框架协议。双方拟以建议出资的方式，经由中芯深圳开展项目发展和运营，重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务，预期2022年投产。项目新投资额估计为23.5亿美元。

2021年9月，中芯国际与上海自贸区临港新区管委会签署合作框架协议，双方在临港自贸区共同成立合资公司，该合资公司将规划建设产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线项目，聚焦于提供28纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。项目计划投资约88.7亿美元。

项目如若顺利按预期达产，中芯国际有望充分受益国内和全球5G、新能源汽车及智能物联网需求的全面爆发，为公司长期成长奠定基础。

深圳加快推进建设集成电路制造产业链进程

集成电路是当今信息技术产业高速发展的基础和源动力，已经高度渗透与融合到国民经济和社会发展的每个领域，其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。我国历来重视集成电路产业发展，《国家集成电路产业发展推进纲要》提出要“加速发展集成电路制造业，持续推动先进生产线建设”“加紧32/28nm芯片生产线建设”，国家“十四五”规划纲要提出要“瞄准集成电路等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目”，《粤港澳大湾区发展规划纲要》提出要“围绕高性能集成电路等重点领域及其关键环节，实施一批战略性新兴产业重大工程”。

目前，深圳在集成电路设计产业规模和技术水平处于国内领先地位，但集成电路制造产业链相对薄弱，相比北京、上海等城市，深圳目前的集成电路制造企业数量偏少、体量偏小。围绕中芯深圳12英寸晶圆代工生产线建设，大力发展集成电路制造，既是巩固提升深圳市集成电路产业竞争力的需求，更是建设世界级新一代信息技术产业发展高地的重要抓手。